光掩模中端干法蚀刻设备

Plasma-Therm牌，Mask Etcher Gen III型，组成部分：进料口、传送腔体、工艺腔体、附属设备泵电、附属设备冷水机、附属设备源柜。结构原理：在腔体内通入气体，并使用射频电源电离气体原子，下电极产生偏置压，使等离子加速轰击光罩表面，进行化学和物理的等离子干法刻蚀。功能：通过腐蚀气体离子或者物理轰击效用，对光罩表面膜层或区域进行等离子干法刻蚀。用途：光罩生产等离子干法刻蚀用. 此刻蚀设备的刻蚀对象为材质是石英玻璃的光掩模板（光罩），通过刻蚀工艺，可以将光掩模承载的芯片设计图形刻蚀到基板上，从而实现设计图形到基板上的转移。

海关公开的预裁定信息只列商品描述与编码，不含归类理由。