集成无源硅晶粒

中文品名：集成无源硅晶粒 英文品名：IPD (Passive Integration Die) 型号：93039WBTR13S07 品牌：SMIC 产品结构组成：该裸片是将电路元件（电容微电路，非电容的分立元件）制作在一片互补型金属氧化物半导体(CMOS)硅晶片，并不可分割地连接在一起的一种微型电路。该裸片的结构中有一个电容元件，该电容元件是由晶圆工艺制成的电容的微电路，非电容的分立元件。与分立器件的区别在于IPD电容值更准确，器件之间差别小，晶圆工艺更易于大规模生产制造。 用途：由芯片倒装技术贴装在一个多元件集成电路的基板上 功能：阻抗匹配 工作原理：用晶圆工艺制成的电容器件，功能还是电容的阻抗匹配功能 其他描述：晶圆经过铜柱(Copper Pillar)凸块( Bump )连接技术在晶圆表面长出凸点，然后在整片晶圆上进行探针测试（Probe），再切割成单个的晶粒（Die），再由机器吸起放在窄带上卷入料盘；再将去下一工序用芯片倒装（Flip Chip）技术反贴在基板上，由铜柱(Copper Pillar)与基板相连接。 与硅晶圆（Si IC）的区别和联系：产品的制作工艺和硅晶圆一样，材料和外观也一样，只是其内部结构不同。我司的硅晶圆其内部结构包括有源元件（晶体管、二级管等的微电路）和无源元件（电容、电阻、电感等的微电路）。该产品的内部结构只包含无源元件电容。CMOS工艺水平是0.18um。 产品尺寸：1.63mm * 1.23mm*0.22mm

海关公开的预裁定信息只列商品描述与编码，不含归类理由。